賣4億的光刻機，DRAM大廠推遲引進 - asiasworldcity.hk

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如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容來自 Source：編譯自thebell三星電子和 SK 海力士將推遲引進 ASML 用於其 DRAM 曝光工藝的“高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV)”設備。這是由於天文數字般的設備價格和 DRAM 架構即將發生的變化。三星電子和SK海力士計劃在2030年後量產3D DRAM，3D DRAM曝光工藝計劃採用氟化氬（ArF）設備，而非EUV設備。因此，High NA EUV設備的引入勢必會給芯片製造商帶來負擔。據業界15日透露，三星電子將搶先將HighNA EUV設備應用於晶圓代工。據悉，在DRAM工藝方面，他們正在考慮是否將其應用於10nm第7代DRAM（1d DRAM），或者用於量產垂直溝道晶體管（VCT）DRAM。內存公司對引入High NA EUV持保守態度的原因在於未來的DRAM發展路線圖。根據三星電子和SK海力士的DRAM路線圖，內存架構將按照以下順序變化：6F方形DRAM→4F方形DRAM→3D DRAM。在此3D DRAM曝光工藝中，無需使用High NA EUV設備或低NA EUV設備。 3D DRAM 是一種像 NAND 一樣垂直堆疊 DRAM 單元的內存概念。現有的DRAM是通過精細工藝來增加晶體管的數量，而3D DRAM則是通過垂直堆疊來擴大晶體管的數量。因此，曝光過程中使用的是 ArF 設備，而不是 EUV 設備。這意味着，即使引進價值超過4億美元的最新設備，其用於量產尖端DRAM的時間也不會太長。不過，兩家公司計劃在 2020 年代末量產的 4F 方形 DRAM 似乎將採用高 NA EUV 設備。這種存儲器的量產需要 EUV 工藝，三星電子稱之爲 VCT DRAM，SK 海力士稱之爲垂直柵極 (VG) DRAM。SK海力士在High NA EUV的引入上也與三星電子採取了類似的立場。尤其是，據悉SK海力士在設備引進方面比三星電子更加謹慎，因爲只有在內存工藝方面才必須使用High NA EUV設備。一位熟悉三星電子下一代DRAM開發的內部人士表示，“據我們瞭解，三星電子已將3D DRAM開發完成日期從2030年推遲到2032-2033年”，並補充道，“由於3D DRAM具有全新的結構，因此相關的生態系統尚未建立。”他補充道，“現有的垂直沉積和蝕刻必須轉換爲水平，這是一箇很大的技術難度”，“由於材料具有各向同性的特性，因此不容易控制”。High NA EUV設備將首先在晶圓代工工藝中得到運用。不過，High NA EUV應用於量產預計還需要一段時間。 ASML預計High NA EUV設備要到2027年以後纔會投入量產。目前，已經從ASML獲得High NA EUV設備的三家晶圓代工廠分別是英特爾、臺積電和三星電子。所有這些設備都用於研發，而不是量產。已經確認，三星電子正在開發一種工藝，其前提是代工 1.4nm 工藝將使用高 NA EUV 設備。三星電子的目標是在2027年實現1.4nm工藝的量產。因此，三星電子目前在NRD-K設置的High NA EUV設備“EXE:5000”也將主要用於研發目的。臺積電正在儘可能推遲使用High NA EUV設備。在最近的一次活動中，該公司宣佈計劃從衍生工藝 A14P 工藝開始使用High NA EUV 設備，而不是 A14（1.4 nm）。這與High NA EUV設備的價格不無關係。https://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202505151002225960108326半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4037期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時專業原創深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦

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