DRAM，史上首次！ - asiasworldcity.hk

「香港飛龍」標誌

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如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~根據市場研究公司Counterpoint Research週三發佈的一項新分析報告，SK海力士史上首次奪得全球DRAM市場冠軍，超越了長期以來的行業領導者三星電子。報告指出，今年第一季度，SK海力士佔據了全球DRAM市場36%的份額，略高於三星電子的34%和美光的25%。該公司強勁增長的關鍵驅動力在於其在高帶寬內存（HBM）領域的主導地位，據報道，該公司在該領域佔據了70%的市場份額。這是 SK 海力士自 1983 年成立以來首次在全球存儲器市場佔據主導地位。三星電子曾是存儲器領域的霸主，統治市場長達 30 多年，如今卻被擠到第二位，市場份額爲 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 緊隨其後，市場份額爲 25%。SK海力士之所以能反超三星，主要原因是人工智能蓬勃發展，對 HBM 芯片的需求強勁。HBM，助SK海力士登頂“這一里程碑歸功於SK海力士能夠滿足DRAM領域，尤其是HBM領域的強勁需求，”Counterpoint Research高級分析師崔正九（Choi Jeong-gu）表示。“這對公司來說意義非凡。”這家韓國芯片巨頭的成功源於其過去10年來對HBM研發的不懈投入。2013年，SK海力士在全球首次研發出HBM芯片時，市場對這種高性能芯片的需求並不高。SK海力士在官方博客中也承認，起初，HBM 的複雜性和利基應用令業界心存疑慮。儘管如此，SK 海力士仍憑藉對未來計算的大膽願景，持續投入資金推進HBM技術，因此在AI熱潮來臨時，憑藉其領先地位，SK海力士輕鬆佔領了HBM市場。最新資料顯示，SK海力士憑藉其最新推出的12層HBM3E芯片，獨家供應給全球市值最高的AI公司英偉達的AI加速器，在1-3月季度佔據了全球HBM銷售額的70%以上。根據SK海力士3月4日提交的文件，其美國銷售子公司SK海力士美國公司去年的銷售額爲33.49萬億韓元（約合230億美元），淨利潤爲1049億韓元（約合7190萬美元），較上一年的12.54萬億韓元（約合85.9億美元）增長了2.6倍。去年，SK海力士業績創歷史新高，總銷售額達66.19萬億韓元，營業利潤達23.47萬億韓元。HBM產品表現尤爲強勁，佔第四季度DRAM總銷售額的40%以上。SK 海力士預計，在人工智能的推動下，該公司預計，到 2027 年，HBM 內存芯片的需求將以每年 82% 的速度增長。Counterpoint分析師也表示：“SK海力士已經做好了充分的準備，以應對HBM需求的激增。”這和韓國時報的報道一致。因爲後者表示，SK 海力士預計其 HBM 銷量將在 2025 年翻一番。SK海力士管理層在電話會議上表示，今年上半年，HBM3E將佔我們HBM的一半以上。此外，我們相信12層HBM4將成爲我們2026年的旗艦產品，並將在今年完成12層HBM4的開發和量產，以便我們能夠按時交付給客戶。“我們的目標是在今年下半年完成HBM4的開發和量產準備，並開始供應。HBM4的供應將從12層芯片開始，然後是16層。預計16層芯片將根據客戶需求在2026年下半年交付。”SK海力士管理層強調。該公司認爲，配備人工智能的智能手機和個人電腦的銷量將會擴大，從而在 2025 年下半年推動其消費市場的銷售額增長。作爲對比，三星則更依賴於傳統DRAM。相關報道指出，該公司約80%至90%的芯片銷售額依賴於傳統芯片。然而，由於中國廠商憑藉更便宜的替代品迅速崛起，傳統內存芯片的需求正在減弱，價格也在下降，這也是推動擁有HBM領先優勢的SK海力士更上一層樓的原因之一。。由於HBM需求預計將保持強勁，分析師認爲SK海力士很可能在第二季度保持領先地位。儘管人們對美國加徵關稅的擔憂日益加劇，但預計其對HBM市場的影響有限。Counterpoint分析師表示：“短期內，強勁的人工智能需求將使HBM市場免受貿易相關衝擊的影響。HBM主要用於人工智能服務器，該服務器本質上是一箇無國界的產品類別，受貿易壁壘的影響較小。”然而，他警告稱，長期風險依然存在，尤其是如果貿易緊張局勢持續導致整體經濟狀況惡化的話。全球經濟放緩最終可能會對HBM市場的擴張造成壓力。DRAM製程，也在反超？如果說HBM的領先是SK海力士能夠領先的果，因就是他們在技術上持之以恆的投入。據韓國媒體 Hanhooki 的一篇新文章中透露，SK 海力士新的 1c DRAM 良率已達到 80%， 2024 年 8 月宣佈，SK 海力士宣佈已成功開發出全球首款基於 1c 工藝的 16GB DDR5 DRAM。根據電路線寬的不同，DRAM 的開發順序依次爲 1x、1y、1z、1a、1b、1c 和 1d，其中 1c 是最先進的技術。1c 大約等於 11納米到12 納米。考慮到該公司在 2024 年下半年的良率僅爲 60%，這在短時間內可謂是一箇巨大的進步。由於該公司目前專注於 HBM4 的生產，我們預計“基於 1c”的 DDR5 內存解決方案不會很快上市。不過，我們可以看到 DRAM 技術在 HBM4 上的實際應用，很可能是性能更強大的 HBM4E。憑藉這一成就，可以肯定地說，SK海力士已經超越三星，暫時佔據DRAM領域的技術領先地位。儘管三星自主研發1c DRAM模塊已有相當一段時間，但早前，有媒體報道，他們正在重新評估1c DRAM模塊，以提高良率，該公司仍難以掌控局面。韓媒Zdnet在二月表示，自去年下半年以來，三星一直在重新設計其尖端 DRAM，以增加芯片尺寸。這是一種比生產力和性能更注重“良品率（良品與投入品的比例）”的戰略，被解讀爲將能力集中於HBM（高帶寬存儲器）等高附加值存儲器的穩定量產的戰略。根據最初規劃，三星電子計劃優先將1c DRAM應用於下一代HBM4（第6代HBM）。目的是快速提高 HBM 與 DRAM 的競爭力，使其領先主要競爭對手一代。 SK Hynix、美光等已決定爲HBM4採用1b DRAM。然而，三星電子的1c DRAM自開發初期以來就一直難以提高成品率。據悉，該系列產品於去年下半年產出首批優質產品，但良率並未達到令人滿意的水平。現在，SK海力士將成爲首家開始量產HBM4的公司，遙遙領先於競爭對手，而且看起來，這種差距還將繼續擴大。據Techinsights在最新的報告中指出，三星和 SK 海力士已將 D1a 和 D1b 單元設計產品商業化，包括 DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X。同時，他們也完成了最小的 12nm 級 DRAM 單元設計。Techinsights表示，兩家公司在採用 EUV 光刻技術方面均處於領先地位，而美光則在其 1α 和 1β 代中繼續使用基於 ArF 和 ArFi 的圖案化技術，並計劃在其 1γ 代中引入 EUV。三星在 D1a 和 D1b 代中將 EUV 光刻擴展到五個或更多掩模。SK 海力士遵循類似的 EUVL 策略，已將其用於 D1a 和 D1b 代，並計劃在未來幾代中增加 EUVL 步驟。與此同時，高 K 金屬柵極 (HKMG) 技術正日益普及。三星率先將 HKMG 用於D1x GDDR6 芯片的外圍結構，並將其擴展到 D1y DDR5 芯片。美光已在 D1z 圖形 DRAM 中實現了 HKMG，並將從 D1β 代開始將其擴展到所有 DRAM 類型。SK 海力士在 D1y 和 D1a GDDR6 中集成了 HKMG，最近又在 D1b DDR5 器件中集成了 HKMG。“明年初，各大廠商將推出D1c工藝的量產DRAM，隨後到2026年或2027年，最終的10納米級DRAM器件（D1d或D1δ節點）將問世。到2030年，DRAM技術預計將縮小到個位數納米節點，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。三星正在開發VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光則專注於垂直堆疊DRAM。DRAM技術的未來前景光明，有望滿足高性能應用和新興技術日益增長的需求。Techinsights強調。回看過去今年的存儲市場，除了三星、SK海力士和美光等高手過招以外，中國的長鑫存儲、長江存儲，中國臺灣的華邦、南亞和力晶也在“猥瑣發育”。最初，大家可能聚焦的產品替代。但隨着廠商技術的進步，無論是先進，還是後來者，都在產品和技術路線圖策略上發生了變化。尤其是在地緣政治成爲既定事實，人工智能也高速崛起之際，這些廠商的競爭尤爲激烈，機會也大增。再加上現在DRAM正在技術變革的關鍵期。未來，是否會冒出又一箇DRAM新巨頭，尚未可知。但可以肯定的是，中國DRAM產業，任重而道遠。https://koreajoongangdaily.joins.com/news/2025-04-09/business/industry/SK-hynix-claims-top-spot-in-global-DRAM-market-for-first-time/2281302https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202504090006https://eng.sk.com/perspectives/hbm-technology-the-silent-catalyst-of-the-ai-revolutionhttps://www.tweaktown.com/news/104512/sk-hynix-has-phenomenal-yield-rate-increase-of-its-1c-dram-modules-for-consumer-hbm-memory/index.htmlhttps://zdnet.co.kr/view/?no=20250210164808https://www.techinsights.com/blog/dram-memory-technology-roadmap-update-q2-2024半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4090期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時專業原創深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦

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